Интерфейс: Тип интерфейса: PCI Express Версия PCI-E: PCIe 3.0 x2 w/NVMe Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель Позиционирование использования: Desktop Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да Форм-фактор: M.2 2280 Номинальный объем, ГБ: 512 Объем после форматирования, GiB: 470.4 Тип памяти: 3D NAND TLC Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 1970 Максимальная скорость чтения, МБ/с: 1550 Максимальная скорость записи, МБ/с: 850 Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 120 Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 160 Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500 Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 400 Ударостойкость при работе, G: 1500 Ударостойкость при хранении, G: 1500 Энергопотребление при работе, Вт: 2.2 Размеры: Ширина, мм: 22 Высота, мм: 2.3 Глубина, мм: 80 Особенности: Поддержка NVMe 1.3, HMB (Host Memory Buffer), TRIM и S.M.A.R.T Тип комплектации: RTL Ссылка на описание: https://www.gigabyte.com/ru/Solid-State-Drive/GIGABYTE-M2-PCIe-SSD-512GB#sp Комплект поставки: Инструкция Интерфейс: Тип интерфейса: PCI Express Версия PCI-E: PCIe 3.0 x2 w/NVMe Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель Позиционирование использования: Desktop Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да Форм-фактор: M.2 2280 Номинальный объем, ГБ: 1024 Объем после форматирования, GiB: 940.8 Тип памяти: 3D NAND TLC Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 3940 Максимальная скорость чтения, МБ/с: 2500 Максимальная скорость записи, МБ/с: 2100 Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 295 Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 430 Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500 Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 1600 Ударостойкость при работе, G: 1500 Ударостойкость при хранении, G: 1500 Энергопотребление при работе, Вт: 2.2 Размеры: Ширина, мм: 22 Высота, мм: 2.3 Глубина, мм: 80 Особенности: Поддержка NVMe 1.3, HMB (Host Memory Buffer), TRIM и S.M.A.R.T Тип комплектации: RTL Ссылка на описание: https://www.gigabyte.com/Solid-State-Drive/GIGABYTE-NVMe-SSD-1TB#kf Комплект поставки: Инструкция Интерфейс: Тип интерфейса: PCI Express Версия PCI-E: PCIe 3.0 x2 w/NVMe Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель Позиционирование использования: Desktop Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да Форм-фактор: M.2 2280 Номинальный объем, ГБ: 512 Объем после форматирования, GiB: 470.4 Тип памяти: 3D NAND TLC Внешняя скорость передачи данных, до, МБ/с: 3940 Максимальная скорость чтения, МБ/с: 1700 Максимальная скорость записи, МБ/с: 1550 Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 270 Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 340 Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500 Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 800 Ударостойкость при работе, G: 1500 Ударостойкость при хранении, G: 1500 Энергопотребление при работе, Вт: 2.2 Размеры: Ширина, мм: 22 Высота, мм: 2.3 Глубина, мм: 80 Особенности: Поддержка NVMe 1.3, HMB (Host Memory Buffer), TRIM и S.M.A.R.T Тип комплектации: RTL Ссылка на описание: https://www.gigabyte.com/Solid-State-Drive/GIGABYTE-NVMe-SSD-1TB#kf Комплект поставки: Инструкция
* Изображения и характеристики товара могут отличаться от реальных параметров.
Пожалуйста, уточняйте информацию у менеджера.
